Essa postagem diz sobre uma experiência que fiz há muitos anos atrás, mas na epoca usei um transistor diferente, agora refiz ela, mas com resultado de um ensaio rápido para que sirva de comparação com modelos comerciais.
A idéia é simples, em um transistor que no meu caso é o BC109B, fabricado pela MEV (Mikroelektronikai Vállalat-Budapest), um lote muito antigo que tenho em mãos, datado de 1987 fazemos uma modificação bastante simples, que transforma o transistor em um fototransistor.
Esta modificação fiz em um 2N3055, e consiste em fazer um furo no encapsulamento metálico do transistor, no caso do BC109 o furo foi feito próximo ao centro, mas lembro que no caso do 2N3055 isso já não vale, haja visto que o silício não está no centro, mas sim próximo dos dois terminais (base e emissor), lembrando que o coletor é a parte metálica.
A próxima foto mostra onde foi feito o furo:
Para quem gostou do transistor e quer conferir mais características, vale a pena ver o datasheet, já que neste escolhido há inclusive todos os parâmetros h do transistor e também o Noise Figure, dado obrigatório em transistor para aplicações em RF mas difícil de ser encontrado nos documentos para transistores de uso geral, como sempre a Telefunken traz uma ótima documentação técnica:
http://www.datasheetarchive.com/pdf-datasheets/Databooks-3/Book519-206.html
A próxima foto mostra como fica a montagem para determinar experimentalmente dois parâmetros do fototransistor improvisado:
Dark current: 14uA @ 8.3V
Light current: 180uA @ 8.3V (como fotodiodo)
Comparando agora com a tabelinha acima, o fotodiodo é bem parecido com o TIL78, e usado de forma adequada pode servir para alguma aplicação qualquer, onde não haja o componente em mãos na hora.
Fica aí a dica, vale como um divertimento em horas de folga :)
Abraços!
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